2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for the wavelength range of Speziell geeignet fr den Wellenlngenbereich von 780 nm to 1100 nm 780 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Suitable for reflow soldering Geeignet fr Reflow Lten Applications Anwendungen Automotive (eg rain sensor, headset) Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset) IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Photointerrupters Lichtschranken Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 950 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P BPW 34 FSR 50 ( 40) Q65110A2740 2014-01-09 1Version 1.1 BPW 34 FSR Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 16 V R Sperrspannung Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 50 ( 40) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, = 950 nm, E =1 mW/cm ) R e Wavelength of max. sensitivity 950 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 780 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.7 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 950 nm) 2014-01-09 2