Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul DD B6U 85 N 16 (ISOPACK) NB6 Rectifier Diode Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values T = - 40C...T V Periodische Spitzensperrspannung vj vj max RRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Stospitzensperrspannung T = + 25C...T V 1700 V vj vj max RSM non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I 60 A FRMSM RMS forward current (per chip) T = 100C Ausgangsstrom I 85 A C d output current T = 84C 104 A C T = 45C, KM 11 A 58 A T = 45C, KM 33 A 75 A T = 35C, KM 14 (V = 45l/s) 104 A A L T = 35C, KM 33 (V = 90l/s) 104 A A L T = 25C, t = 10ms Stostrom-Grenzwert vj p I 650 A FSM surge forward current T = T , t = 10ms 550 A vj vj max p T = 25C, t = 10ms Grenzlastintegral vj p It 2100 As T = T , t = 10ms It-value 1500 As vj vj max p Charakteristische Werte / Characteristic values T = T , i = 100A v Durchlaspannung vj vj max F F max. 1,44 V forward voltage Schleusenspannung T = T V 0,75 V vj vj max (TO) threshold voltage T = T Ersatzwiderstand r 5,5 m vj vj max T forward slope resistance T = T v V Sperrstrom i max. 5 mA vj vj max, R = RRM R reverse current V Isolations-Prfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min 3,0 kV ISOL insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties pro Modul / per module, = 120rect R Innerer Wrmewiderstand max. 0,241 C/W thJC thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, = 120rect max. 1,450 C/W pro Modul / per module, DC max. 0,183 C/W pro Element / per chip, DC max. 1,100 C/W R bergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per module max. 0,033 C/W thCK thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 C/W T Hchstzulssige Sperrschichttemperatur 150 C vj max max. junction temperature T Betriebstemperatur - 40...+150 C c op operating temperature T - 40...+150 C Lagertemperatur stg storage temperature BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 A07 /05 Seite/page 1(6)Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul DD B6U 85 N 16 (ISOPACK) NB6 Rectifier Diode Module Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Ltkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Al O Innere Isolation 2 3 internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung Toleranz / tolerance 15% M1 6 Nm mounting torque Toleranz / tolerance +5% / -10% Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse M2 4 Nm terminal connection torque Gewicht G 220 g typ. weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s vibration resistance Khlkrper / heatsinks : KM 11 KM 14 KM 17 KM 33 BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 Seite/page 2(6)