Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modul DD B6U 205 N 16 (ISOPACK) NB6 Rectifier Diode Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values T = - 40C...T Periodische Spitzensperrspannung V 1600 V vj vj max RRM repetitive peak reverse voltage T = + 25C...T V Stospitzensperrspannung vj vj max 1700 V RSM non-repetitive peak reverse voltage I Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) 120 A FRMSM RMS forward current (per chip) T = 100C I Ausgangsstrom C 205 A d T = 99C output current C 208 A T = 45C, KM 11 80 A A T = 45C, KM 33 113 A A T = 35C, KM 14 (V = 45l/s) A L 190 A T = 35C, KM 33 (V = 90l/s) A L 208 A T = 25C, t = 10ms I Stostrom-Grenzwert vj p FSM 1600 A T = T , t = 10ms surge forward current vj vj max p 1375 A Grenzlastintegral T = 25C, t = 10ms It 12800 As vj p T = T , t = 10ms It-value vj vj max p 9450 As Charakteristische Werte / Characteristic values T = T , i = 200A Durchlaspannung v max. 1,47 V vj vj max F F forward voltage T = T V Schleusenspannung vj vj max 0,75 V (TO) threshold voltage T = T r Ersatzwiderstand vj vj max 2,2 m T forward slope resistance T = T v V i Sperrstrom vj vj max, R = RRM max. 10 mA R reverse current Isolations-Prfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V 3,0 kV ISOL RMS, f = 50Hz, t = 1sec insulation test voltage 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand pro Modul / per module, = 120rect R max. 0,098 C/W thJC thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, = 120rect max. 0,590 C/W pro Modul / per module, DC max. 0,078 C/W pro Element / per chip, DC max. 0,470 C/W pro Modul / per module R max. 0,033 C/W bergangs-Wrmewiderstand thCK thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 150 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur T - 40...+150 C c op operating temperature Lagertemperatur T - 40...+150 C stg storage temperature BIP PPE 4 rev.2 25. Okt 05 A 09/05 Seite/page 1(6)Technische Information / Technical Information Netz-Dioden-Modu Rectifier Diode Module DD B6U 205 N 16 (ISOPACK) NB6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Elemente mit Ltkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Innere Isolation Al O 2 3 internal insulation Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung Toleranz / tolerance 15% M1 6 Nm mounting torque Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 4 Nm terminal connection torque Gewicht G typ. 220 g weight Kriechstrecke 12,5 mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s vibration resistance Khlkrper / heatsinks : KM 11 KM 14 KM 17 KM 33 BIP PPE 4 rev.2 Seite/page 2(6) 25. Okt 05