Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D970N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 400 V Periodische SpitKenndaten zensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max 600 V repetitive peak reverse voltages 800 V 1) Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 1245 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauerg renzstrom T = 100 C I 970 A C FAVM average on-state current 1300 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 2040 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 10300 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 8800 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 530,45 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 387,2 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 2,3 kA v max. 1,45 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 750 A max. 0,97 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,7 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,31 vj vj max T slope resistance T = T A= 4,891E-01 Durchlakennlinie 200 A i 4000 A vj vj max F B= 1,323E-04 on-state characteristic C= 2,391E-03 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= 1,340E-02 Thermische Eigenschaften Sperrstrom T = T , v = V i max. 20 mA vj vj max R RRM R reve rse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,057 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,053 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,094 C/W Anode / anode, DC max. 0,090 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,134 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,130 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,015 C/W thermal resistance, case to heatsink 0,030 C/W einseitig / single-sided max. 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemperatur stg storage temperature 1) 800V auf Anfrage / 800V on request prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-25 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann A 11/10 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D970N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 3,8...7,6kN clamping force Gewicht G typ. 75g weight Kriechstrecke 10mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann A 11/10 Seite/page 2/8