Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1050N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 1200 1600 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max Kenndaten 1400 1800 V repetitive peak reverse voltages Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 2590 A Elektrische Eigenschaften FRMSM maximum RMS on-state current T = 130 C C Dauergrenzstrom I 1050A FAVM average on-state current 2000 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 3140 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 24000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 18500 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 2880 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 1710 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 5,0 kA v max. 1,76 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 1,0 kA max. 1,00 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,81 V vj vj max (TO) threshold voltage Ersatzwiderstand T = T r 0,17 m vj vj max T slope resistance T = T A= -6,685E-01 Durchlakennlinie 500 A i 5000 A vj vj max F B= 2,114E-04 on-state characteristic C= 2,752E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= -1,385E-02 F F F Sperrstrom T = T , v = V i max. 60 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,038 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,035 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,064 C/W Anode / anode, DC max. 0,061 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,085 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,082 C/W bergan gs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,005 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,010 C/W einseitig / single-sided 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C stg Lagertemp eratur storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2009-06-16 approved by: M.Leifeld revision: 2 IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann A 02/09 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1050N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 10...24kN clamping force Gewicht G typ. 280g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann A 02/09 Seite/page 2/8