W E E E S H BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 I = 200 mA V = 40 V FAV RRM V < 0.38 V I = 600 mA F1 FSM SMD Small Signal Schottky Diodes Tjmax = 150C trr < 5 ns SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden Version 2018-09-19 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing, High-speed Signalverarbeitung, Schnelles SOT-23 switching, Polarity protection Schalten, Verpolschutz (TO-236) Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) +0.1 0.1 1.1 -0.2 2.9 +0.1 Features Besonderheiten 0.4 -0.05 3 Very high switching speed Extrem schnelles Schalten Low junction capacitance Niedrige Sperrschicht-Kapazitt Type Code Low leakage current Niedriger Sperrstrom Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 2 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 0.1 1.9 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Dimensions - Mae mm Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS40/-AQ BAS40-04 3 3 Type Type Single Series Code Code Diode Connection 43 44 1 2 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS40-05 BAS40-06 3 3 Type Type Common Common Code Code Cathode Anode 45 46 1 2 1 2 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 3 4 Power dissipation Verlustleistung ) P 310 mW ) tot 4 Max. average forward current Dauergrenzstrom DC I 200 mA ) FAV 4 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom I 300 mA ) FRM Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s IFSM 600 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V 40 V RRM Reverse voltage Sperrspannung DC V 40 V R Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C and per diode, unless otherwise specified TA = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben 3 Total power dissipation of both diodes Summe der Verlustleistungen beider Dioden 2 4 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage I = 1 mA < 380 mV F T = 25C V j F Durchlass-Spannung IF = 40 mA < 1000 mV Leakage current 1 T = 25C V = 30 V I < 200 nA ) j R R Sperrstrom Breakdown voltage 1 T = 25C I = 10 A V > 40 V ) j R BR Abbruch-Spannung Junction capacitance V = 0 V, f = 1 MHz C < 5 pF R T Sperrschichtkapazitt Reverse recovery time I = 10 mA ber/through F trr < 5 ns Sperrverzug I = 10 mA bis/to I = 1 mA R R Thermal resistance junction to ambient 2 R < 400 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 1 % A 100 -1 10 80 -2 60 10 40 -3 10 20 I F P tot T = 25C j -4 0 10 0 T 50 100 150 0 V 0.4 0.6 0.8 1.0 V 1.4 A C F 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2